【環球網科技綜合報道】近日，針對英偉達（NVDA.US）測試其高帶寬存儲芯片（HBM）的媒體報道，三星電子（SSNLF.US）再次發表官方回應，澄清相關傳聞。三星方面表示，測試工作正在“按計劃”順利進行，並與各客戶保持密切合作，以優化產品性能。
上週，有消息傳出英偉達已批准三星的8層HBM3E芯片用於其人工智能處理器。然而，三星迅速對此傳聞進行了否認，稱該報道與事實相去甚遠。“我們無法證實與客戶相關的傳聞，這個報道並非真實情況。”三星的一位發言人通過電子郵件明確回應道。
HBM（高帶寬內存）作爲一種動態隨機存取存儲器（DRAM）標準，通過垂直堆疊芯片的方式有效節省空間並降低能耗，已成爲人工智能GPU不可或缺的關鍵組件。它能夠高效處理複雜應用程序產生的大量數據，對於推動AI技術的發展具有重要意義。目前，HBM3是新一代人工智能GPU中最常用的第四代技術標準，而HBM3E芯片則採用了更爲先進的第五代標準。
在全球HBM芯片市場中，SK海力士與三星電子佔據了主導地位，而美國芯片製造商美光科技（MU.US）緊隨其後。上個月，英偉達首席執行官黃仁勳公開表示，公司正在積極評估美光和三星的HBM芯片，以評估它們的市場競爭力，尤其是與SK海力士相比的優勢。
